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单晶硅的滑移线是怎么产生的
1、单晶硅的生产工艺：石材加工一开始是石头(所有石头都含硅)。这块石头被加热后变成了液态。加热后变成气态，气体通过一个密封的大盒子。盒子里有N多个加热的子晶体，两端用石墨夹住。
2、单晶硅片取自于等径部分。（6）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么热应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。
3、当工件受到刀具的挤压以后，切削层金属在始滑移面OA以左发生弹性变形。在OA面上，应力达到材料的屈服强度，则发生塑性变形，产生滑移现象。随着刀具的连续移动，原来处于始滑移面上的金属不断向刀具靠拢，应力和变形也逐渐加大。
4、导电能力越强，电阻率就越低；相反硅中掺硼则为p型，掺硼越多则能置换硅产生的空穴也越多，则导电能力越强，电阻率就越低。
5、冲击线是指冲压过程中成形零件上的棱肩等凸起留在板料上的，从初痕到终痕所滑移过的痕迹。
6、silicon solar module 应该这么翻译才对 因为太阳能电池板是一个组件，是一个发电系统 如果用那位朋友翻译的cell，就指的是电池板里面的电池片(cell)了，那样不准确。请放心，我是从事这行职业的，我说的更准确。
硅片回收技术的切片、退火、倒角
1、切片：将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。
2、切片：将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。 退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。
3、硅片切片作为硅片加工工艺流程的关键工序，其加工效率和加工质量 直接关系到整个硅片生产的全局。对于切片工艺技术的原则要求是：①切割 精度高、表面平行度 高、翘曲度和厚度公差小。
4、在半导体集成电路晶圆制造中，退火工艺主要应用于28nm及以下半导体逻辑芯片制造前道工序。除了改变材料结构和提高产品性能外，退火技术还可以用于消除缺陷并激活注入离子。
5、单晶硅片倒角是为了充分利用硅棒，单晶多晶都有倒角。单晶一般都为大倒角，是有单晶的工艺决定。
硅棒\硅片加工生产
1、另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。
2、硅棒粘接：用粘接剂对硅棒和碳板进行粘接，以利于牢固的固定在切割机上和方位角的确定。 切片：主要利用内圆切割机或线切割机进行切割，以获得达到其加工要求的厚度，X、Y方向角，曲翘度的薄硅片。
3、切片：将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。
4、净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H气氛中还原沉积而生成多晶硅。其化学反应SiHCl+H→Si+HCl。
5、先磨，然后再清洗。清洗时先用水基清洗剂清洗，然后再过异丙醇蒸汽洗 。俺们做清洗比较久了，有几家客人就是这这样做的。
急!!!谁知道硅片化学机械抛光工艺流程??
硅棒粘接：用粘接剂对硅棒和碳板进行粘接，以利于牢固的固定在切割机上和方位角的确定。 切片：主要利用内圆切割机或线切割机进行切割，以获得达到其加工要求的厚度，X、Y方向角，曲翘度的薄硅片。
去毛刺：使用碱性或酸性溶液对待处理物体进行脱脂、去除毛刺等处理，使其表面更加平滑。
在粗抛光过程中要拿紧试样，沿抛光盘的径向往复运动，均匀地调整所施加的压力，注意其压力也不应过大。抛光开始时，要不时的撒些抛光液。
硅片加工工艺流程一般经过晶体生长、切断、外径滚磨、平边、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、包装等阶段。
碳化硅晶圆抛光工艺流程是先粗抛后精抛。硅晶圆粗抛时用紫色高锰酸钾抛光液与碳化硅表面直接接触发生氧化反应，从而可将碳化硅表面氧化。硅晶圆精抛时可用硅溶胶抛光液。
石英晶片为何要倒角呢
1、它的内部结构为：一片石英晶片，两面镀有电极并接至引脚。所以可以肯定地告诉你，晶振是没有正反之分的。在静态下，它就象一个高级电容。因为晶片研磨精度很高，它的电容量相当稳定，不是一般电容所能相比的。
2、石英晶片的切型有很多种，不同的切型其物理性质不同，切面的方向与主轴的夹角对其性能有重要影响，比如：频率稳定性，活性水平，Q值，温度系数等。
3、根据题意，蓝光透过旋转晶片后，偏振面旋转90度，所以 晶片的厚度d=90/45=17mm 这里主要是理解 旋光率的概念，即通过单位厚度的旋光物质后偏振面旋转的角。
硅片后道的主要工序是什么啊?
（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃）以上，将多晶硅原料熔化。
后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA植球、检查、测试等。又分为湿制程和干制程。湿制程主要是由液体参与的流程，如清洗、电镀等。干制程则与之相反，顾名思义是没有液体的流程。其实半导体制程大部分是干制程。
净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H气氛中还原沉积而生成多晶硅。其化学反应SiHCl+H→Si+HCl。
晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关。
标签： 北京晶片倒角机
